Dislocation scattering of electrons in plastically deformed germanium

Alkan B., Serin T., Unal B.

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, cilt.11, sa.7, ss.1046-1050, 1996 (SCI-Expanded, Scopus) identifier identifier

  • Yayın Türü: Makale / Tam Makale
  • Cilt numarası: 11 Sayı: 7
  • Basım Tarihi: 1996
  • Doi Numarası: 10.1088/0268-1242/11/7/013
  • Dergi Adı: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
  • Derginin Tarandığı İndeksler: Science Citation Index Expanded (SCI-EXPANDED), Scopus
  • Sayfa Sayıları: ss.1046-1050
  • Ankara Üniversitesi Adresli: Hayır

Özet

Using the correlation function variant of linear response theory, we calculated the electron mobility mu(D) due to charged dislocation lines in Ge as a function of temperature T.