İki boyutlu topolojik yalıtkanlarda elektron fonon etkileşmesi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Ankara Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2020

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: PINAR ORUÇ

Danışman: BEKİR SITKI KANDEMİR

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu tez çalışması kapsamında iki boyutlu topolojik yalıtkanlardaki alttaş kaynaklı elektron fonon etkileşmesi incelenmiştir. Topolojik yalıtkanların anlatılmasında temel rol oynayan kuantum Hall olayı tartışılmıştır. Kuantum spin Hall olayının görüldüğü iki boyutlu HgTe/CdTe hetero yapısından elde edilen kuantum kuyusunun bant yapısı incelenmiştir. Kıyı durumları ve yığın davranışının incelenmesi için Bernevig-Hughes-Zhang (BHZ) hamiltoniyeninin çözümleri elde edilmiştir. İki boyutlu HgTe/CdTe kuantum kuyusunda kullanılan alttaşa bağlı olarak ortaya çıkan değişiklikleri anlamak için Lee-Low-Pines yaklaşımı kapsamında elektron-yüzey optik fonon etkileşmesi göz önüne alınarak köşegenleştirme yapılmıştır. Fonon giydirilmiş BHZ hamiltoniyeni elde edilerek hangi alttaşların helisel kıyı durumlarını desteklediği gösterilmiştir.