Akademik Veri Yönetim Sistemi
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Ankara Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2011
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Türkan ÜSTÜN
Danışman: HÜSEYİN SARI
Özet:Bu tez çalışmasında; kuantum nokta temelli bellek aygıt olabilecek GaAs/GaSb kuantum noktalı örnek ile GaAs/GaSb kuantum noktası içermeyen örneklerin elektronik özellikleri incelenmiştir. Bu incelemelerden yola çıkarak kuantum noktalarının varlığı her iki örnek için yapılan ölçümler karşılaştırılarak gösterilmiştir. Örneklerin her ikisi de aynı fiziksel koşullarda Moleküler Işın Epitaksi (MBE) sistemi ile büyütülmüştür. Kuantum noktası içeren örnekler büyütülürken Stranski-Kranstanow yöntemi kullanılarak büyültmüştür. Her iki örnek için 55 K ile 300 K sıcaklık aralıklarında akım-voltaj (I-V) ve sığa –voltaj (C-V) ölçümleri yapılarak derin seviye geçiş spektroskopisi (DLTS) ile kuantum noktasının varlığı gösterildi. Kuantum noktası içeren örnek için aktivasyon enerjileri belirlenmiştir. GaAs/GaSb kuantum noktası içeren örnek için lokalizasyon enerjisi (temel seviye aktivasyon enerjisi) 450 meV civarında bulundu.