Bor Katkılandırılmış InSe Yarıiletken Kristallerinin Doğrusal ve Doğrusal Olmayan Optik Özelliklerinin Araştırılması

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2024

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: Meliha Yağmur Bilgili

Danışman: Ahmet Karatay

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Bu çalışmada Bridgman-Stockbarger yöntemi ile büyütülmüş, katkısız ve farklı oranlarda Bor atomu katkılı InSe yarıiletken kristallerinin doğrusal ve doğrusal olmayan optik özellikleri araştırılarak yakın kızılötesi bölgede optik sınırlayıcı olarak kullanılabilirlikleri ortaya konmuştur. İlk başta külçe olan bu kristaller bölümümüzde bulunan optik malzemeler araştırma laboratuvarında çalışılabilecek kalınlıklara getirilmiştir. Bu kristallere ilk olarak UV-VIS spektrofotometresi ile doğrusal soğurma ölçümleri yapılarak bant aralığı değerleri belirlenmiştir. Sonrasında açık yarık Z-tarama tekniği kullanılarak femtosaniye lazer sistemi ile iki foton soğurma özellikleri 1200 nm dalga boyunda araştırılmıştır. Z-tarama deneylerinden elde edilen sonuçlar uygun teorik hesaplamalar kullanılarak fit edilmiş ve iki foton soğurma katsayıları elde edilmiştir. Tezde çalışılan yarıiletken malzemelerin dar enerji bant aralığına sahip olması nedeniyle doğrusal olmayan optik özellikleri, özellikle yakın kızılötesi bölgesinde iki foton soğurma göstermeleri optik sınırlama ve optik anahtarlama gibi güncel uygulama alanları için tezin önemini arttırmaktadır.